我见过的从 NAND 门制作 OR 门的图表使用 3 个 NAND 门,但如果您将两个输入连接到 NAND 门的两个连接器,然后将该门的输出作为第二个 NAND 门的两个连接器的输入它的行为应该像“或”门。那么你只需要 2 个门?

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编辑:下面这张图片是我在 richardbowles 网站上所做的一次尝试,这让我认为它可能会起作用。我使用“或”门尝试创建(出于充分理由)不允许的连接。我现在意识到(某种程度上)这是垃圾

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有帮助吗?

解决方案

连接到NAND门的两个输入端,两个输入端?这听起来像是两个输入之间的短路。

毕竟,你不需要任何闸门那种“或门”。

在实践中连接的NAND结果的输入在NOT。并顺序地具有两个组合这些是ID。它什么也不做(只以逻辑方式,您可以使用此结构在现实不同的东西)。

的问题是,这种思想的OP的列车仅与在画面绘制的开关工作。在数字电子你有一个信号作为任一高(例如+ 5V)或低电平(GND,0V)。而你不允许连接两个这样的信号,他们之间没有任何东西。

其他提示

您发布的图片是不完全正确的。应当充当一个与门。这是因为,第二与非门充当逆变器,否定该第一栅极。

由于狄摩根定理的,或门必须用3个NAND门制成。

修改没看到它们之间的连接。是的,这将起到完全一样或门。有趣的发现。

假设两个输入A和B.当输入A为高,NAND的输入将都为高,所以第一NAND的输出将是低的。第二与非反转该所以这将是高的。

也是如此,如果B为高,或者如果它们都为高。如果两个输入是低,那么将返回低。

<强> DOUBLE编辑:然而,如果电压是说A = 5V和B =接地,A将流右到地面。这就是为什么使用利用狄摩根定理的标准方法。

听起来好像您正在描述“与”门的构造。 编辑:我现在可以看到你的图表,但看不到那里发生了什么。你真的搭建过这个电路吗?

有四种基本模式:

  1. 不要反转输入或输出(O = A NAND B。)结果:与非B
  2. 仅反转输出(C = A NAND B;O = C 与非 C。)结果:甲和乙
  3. 仅反转输入(C = A NAND A;D = B 与非 B;O = C NAND D。)结果:甲或乙
  4. 反转输入和输出(C = A NAND A;D = B 与非 B;E = C 与 D;O = E NAND E。)结果:A 或 B

通过这个设计,你就根本不需要任何与非门。 但是你不能在这种抽象的直接连接两个输入信号(基本上,你说I1 = = I2,这没有任何意义)。 在电子,这将导致短路

在OP的解决方案工作,只要该电路具有集电极开路的输入(或任何等效的被称为在MOS技术。开漏?)和被制成需要的下拉电阻。

不过,如果是这样的话,你不需要任何门可言,只是输出连接在一起。

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